ケイ酸ハフニウム(IV)の知名度

ケイ酸ハフニウム(IV)（Hafnium(IV) silicate、HfSiO<sub>4</sub>）は、ハフニウムのケイ酸塩である。ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法（主にMOCVD）によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体（high-k dielectric）として使うことができる。ケイ酸ハフニウム(IV)（Hafnium(IV) silicate、HfSiO<sub>4</sub>）は、ハフニウムのケイ酸塩である。ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法（主にMOCVD）によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体（high-k dielectric）として使うことができる。