アンチモン化アルミニウム

アンチモン化アルミニウム(Aluminium antimonide)は、アルミニウムとアンチモンを含むIII-V族半導体である。格子定数は、0.61 nmである。間接バンドギャップは、300Kで約1.6 eVであるが、直接バンドギャップは2.22 eVである。300Kで、電子移動度は200cm・V・s、正孔移動度は400・V・sである。屈折率は、波長2μmで3.3、誘電率はマイクロ波波長で10.9である。アンチモン化アルミニウムは、他のIII-V族材料と合金を作ることができ、アンチモン化アルミニウムインジウム(AlInSb)、アンチモン化アルミニウムガリウム(AlGaSb)、アンチモン化アルミニウムヒ素(AlAsSb)等の三元合金を形成する。アンチモン化アルミニウムは、アンチモン化物イオン(Sb)が還元性を持つために可燃性があり、燃えると酸化アルミニウムと三酸化アンチモンが生成する。